6月2日下午四点，在湖北考察工作的中共中央总书记、国家主席、中央军委主席胡锦涛莅临武汉光电国家实验室（筹）考察，听取实验室的科技成果汇报，勉励华中科技大学科研人员取得更多原创性科研成果，极大激发了全体师生全面提高教育质量、提升人才培养水平、增强科学研究能力、服务经济社会发展、推进文化传承创新，创建世界一流大学的激情和干劲。
  随后，胡锦涛走进光电实验室的信息光电子、能源光电子、激光科学与技术和生物医学光子学研究中心，考察了基于SOA的无源光网络接入扩容与距离延伸技术、超高精度色散管理技术、LED封装技术、大功率光纤激光器、纳米压印技术、相变存储器、生物显微层析成像等技术成果。每到一处，胡锦涛都仔细听取科研人员的研究成果汇报，看实验、问原理、话应用，了解最新科研进展
  在光纤激光器演示台前，胡锦涛听取了该项目研究人员闫大鹏教授关于大功率光纤激光器的研发、生产情况。
  胡锦涛一边观看电脑屏幕上的技术成果展示，一边听取了“长江学者”特聘教授刘文应用纳米压印技术制作DFB激光器的研究。

  在相变存储实验室，胡锦涛认真听取了“长江学者”特聘教授缪向水关于相变存储技术特点、取代闪存技术的优势及其产业化进展的汇报。他仔细询问了国内目前存储器产业现状、相变存储器将来大批量销售后闪存器会怎样、国际上相变存储器研究现状、国际上目前是否有相变存储器产品销售、相变存储器未来市场有多大等。
  在生物显微层析成像成果展台前，胡锦涛听取了光电国家实验室常务副主任、“长江学者”特聘教授骆清铭的研究汇报。
  考察中，总书记特别强调，科技创新，人才为先。要依托国家实验室这个平台，进一步聚集人才、培养人才，更好地发挥创新型科技人才的作用，努力在光电领域取得更多原创性科研成果，为中国光电领域的发展作出更大的贡献。